[发明专利]一种共晶键合深紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310203231.1 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116314485A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王幸福;谢易成;杨玉青 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黎扬鹏 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共晶键合深紫外发光二极管及其制备方法，方法包括以下步骤：在初始生长衬底上依次生长成核层、后续生长缓冲层、电化学腐蚀反应层和深紫外LED发光结构目标层，得到深紫外LED外延片；对深紫外LED外延片进行光刻，在深紫外LED发光结构目标层上得到多个互相分离的的深紫外LED发光区；在深紫外LED发光结构目标层上制备水平结构电极；将多个深紫外LED发光区中的水平结构电极进行共晶键合粘连；对电化学腐蚀反应层进行电化学腐蚀。本发明有效降低了深紫外LED的热阻，提高了其散热能力、载流子注入能力和发光效率，多区域键合的方式提高了其总体发光强度；在氮化物大功率深紫外LED的制备研究上具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共晶键合 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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