[发明专利]一种具有摩尔超晶格结构的二硫化钼纳米带及其制备方法在审
| 申请号： | 202310195660.9 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116282167A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 丛日东;张勇;刘彦良;高倩;郭佳鑫;刘啸宇;于威 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00;C30B25/14;C30B25/18;C30B29/46;C30B29/64;C30B29/68;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有摩尔超晶格结构的二硫化钼纳米带及其制备方法，该纳米带宏观上具有一维限域的结构特征，微观结构上具有周期性摩尔条纹，形成摩尔超晶格结构，是凝聚态物理中研究新奇量子态的理想平台。所述纳米带的制备方法是：利用空间限域化学气相沉积技术，以SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 摩尔 晶格 结构 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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