[发明专利]一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310147195.1 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116209337A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 敖金平;王利强;繆璟润;王霄;李杨;陈治伟;白利华;朱霞 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H10N30/30 | 分类号： | H10N30/30;H10N30/01;H01L29/778;H01L21/335;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32272 | 代理人： | 康伟 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法，包括由下至上依次设置的衬底、沟道结构层、设置于沟道结构层上的栅极以及位于沟道结构层两侧的源极和漏极；其中，沟道结构层由多层堆叠的GaN层和AlGaN势垒层构成，GaN层位于AlGaN势垒层下方。本发明通过多次进行AlGaN/GaN材料的堆叠构成多沟道压力传感器在微纳尺度方面，可以较大的提高相关性能参数，灵敏度高、可靠性强、检测限低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 gan 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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