[发明专利]氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法在审
| 申请号： | 202310141307.2 | 申请日： | 2023-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN116406167A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;李祖懋;吴冠霖;袁金渊;孙文博;郭壮;赵澄;刘仁杰;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H10B99/00 | 分类号： | H10B99/00;H01L29/88;H01L29/778;H01L29/788;H01L21/8252;H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法，主要解决现有氮化物非易失性存储器耐久性差、延迟高和漏电大的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、浮栅层、第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、隔离层、栅极接触层；该第一势垒层、第一量子阱层和第二势垒层构成第一共振隧穿二极管，第二势垒层与隔离层之间设有串联层、第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层，该第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层构成第二共振隧穿二极管，浮栅层两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层上设有栅电极，形成三极管结构器件。本发明能增加写入和擦除的电流差，减小延迟和漏电，易实现多值逻辑状态，可用于高密度存储和多值逻辑电路。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 非易失性 多值逻辑 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310141307.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
