[发明专利]具有构造的钝化的III-V型半导体装置在审
| 申请号： | 202310124943.4 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116581156A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | S·拉万加;N·德拉斯;G·普雷希特尔;L·萨亚迪 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;吕传奇 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有构造的钝化的III‑V型半导体装置。一种高电子迁移率晶体管包括：半导体主体，包括势垒区和沟道区，所述沟道区与所述势垒区形成异质结，以使得二维电荷载流子气沟道被安放在所述沟道区中；源电极和漏电极，被安放在所述半导体主体上并且沿侧向彼此分隔开；栅极结构，被安放在所述半导体主体上并且沿侧向被安放在所述源电极和漏电极之间，所述栅极结构被配置为控制二维电荷载流子气的导电状态；和第一介电区，在位于所述栅极结构和所述漏电极之间的侧向区中沿着所述半导体主体的上表面被安放，其中所述第一介电区包括铝和氧化物，并且其中所述第一介电区包括第一端，所述第一端朝向所述栅极结构并且沿侧向与所述栅极结构分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 构造 钝化 iii 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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