[发明专利]一种闪存阵列及闪存芯片在审
| 申请号： | 202310104404.4 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115988879A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王春明 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/41;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 苏舒音 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存阵列及闪存芯片。闪存阵列包括阵列排布的多个闪存模块；闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元；存算单元与虚设单元相间排布；虚设单元包括第一衬底、位于第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于第一衬底上的第一选择栅极、第一控制栅极和第一浮置栅极；其中，第一控制栅极与第一浮置栅极位于第一选择栅极的第一侧；第一漏极区域在第一衬底的正投影位于第一选择栅极在第一衬底的正投影的第二侧；虚设单元还包括第一硅化物结构，第一硅化物结构位于第一漏极区域远离第一衬底的表面，且第一硅化物结构与第一衬底不连接。本发明实施例的技术方案提高了对存算单元的编程效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 阵列 芯片 | ||
【主权项】：
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