[发明专利]电容结构及其制备方法、半导体结构在审
| 申请号： | 202310104264.0 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN115955913A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张加亮;刘琳 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构。电容结构包括：第一极板；介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；第二极板，位于所述第三介质层远离所述第一极板的表面。本申请的电容结构的介质叠层的具备较高的介电常数值，电容密度得到提升，第一介质层的折射率与第三介质层的折射率均低于第二介质层的折射率，使得直接与电容上下极板接触的介质层的应力较低，解决了提升电容密度造成介质层应力增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制备 方法 半导体 | ||
【主权项】：
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