[发明专利]电容结构及其制备方法、半导体结构在审
| 申请号： | 202310104264.0 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN115955913A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张加亮;刘琳 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制备 方法 半导体 | ||
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
第一极板；
介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；
第二极板，位于所述第三介质层远离所述第一极板的表面。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第二介质层的折射率为所述第一介质层的折射率的1.1~1.2倍；所述第二介质层的折射率为所述第三介质层的折射率的1.1~1.2倍。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层及所述第三介质层均包括氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层与所述第三介质层的厚度均小于所述第二介质层的厚度。
5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层与所述第三介质层的厚度之和与所述第二介质层的厚度相同。
6.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：
形成第一极板；
于所述第一极板的表面形成介质叠层；其中，所述介质叠层包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；
于所述第三介质层远离所述第一极板的表面形成第二极板。
7.根据权利要求6所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一极板的表面形成介质叠层，包括：
于所述第一极板的表面形成所述第一介质层；
于所述第一介质层远离所述第一极板的表面形成所述第二介质层；
于所述第二介质层远离所述第一介质层的表面形成所述第三介质层。
8.根据权利要求7所述的电容结构的制备方法，其特征在于，通过控制形成所述介质叠层的过程中采用的射频功率和气体流量，使得所述第一介质层的应力与所述第三介质层的应力均小于所述第二介质层的应力。
9.根据权利要求8所述的电容结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二介质层的过程中采用的射频功率为200W~450W，气体流量为100sccm ~150sccm。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
如权利要求1至5中任一项所述的电容结构，位于所述衬底的表面。
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