[发明专利]消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310100927.1 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116072736A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨倩;杨静;赵德刚;张臻琢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法，包括由下至上设置的第一掺杂硅N型层和第二掺杂硅N型层，其特征在于，还包括：AlGaN插入层，设置于第一掺杂硅N型层与第二掺杂硅N型层之间，用于消除氮化镓中纳米管缺陷。本发明提供的肖特基二极管利用铝原子的迁移率较低的特点，在材料生长过程中加入一层铝镓氮可以使铝原子在纳米管的空心附近成核，从而阻止了纳米管继续向上延伸，实现消除纳米管缺陷的目的，进而降低了肖特基二极管的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 纳米 缺陷 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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