[发明专利]消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种消除纳米管缺陷的肖特基二极管，包括由下至上设置的第一掺杂硅N型层(4)和第二掺杂硅N型层(6)，其特征在于，还包括：

AlGaN插入层(5)，设置于所述第一掺杂硅N型层(4)与第二掺杂硅N型层(6)之间，用于消除氮化镓中纳米管缺陷。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：AlGaN插入层(5)的厚度在100-200nm。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：AlGaN插入层(5)的铝组分在0.01-1。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：

依次层叠的蓝宝石衬底(1)、低温成核层(2)、第一非故意掺杂层(3)，所述第一非故意掺杂层(3)上叠置有所述第一掺杂硅N型层(4)；

所述第二掺杂硅N型层(6)上表面的一侧设置有第二非故意掺杂层(7)，所述第二非故意掺杂层(7)上叠置有Ni/Au电极(8)，所述Ni/Au电极(8)上表面的至少部分设有加厚电极(9)；

其中，所述第二掺杂硅N型层(6)上表面的另一侧设有N型电极(10)以及形成于所述N型电极(10)两侧的二氧化硅。

5.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，包括：

所述蓝宝石衬底层(1)的厚度为200-1000μm；

所述低温成核层(2)的厚度为10-100nm；

所述第一非故意掺杂层(3)的厚度为2-4μm；

所述第一掺杂硅N型层(4)的厚度为0.1-1μm；

所述第二掺杂硅N型层(6)的厚度为1-2μm；

所述第二非故意掺杂层(7)的厚度为0.1-1μm。

6.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述低温成核层(2)包括GaN缓冲层；所述加厚电极(9)和所述N型电极(10)的材料为Ti/Al/Ti/Au。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的消除纳米管缺陷的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，选取蓝宝石衬底(1)并置于MOCVD反应室中进行预处理；

S2，在所述蓝宝石衬底(1)上生长低温成核层(2)；

S3，在所述低温成核层(2)上生长第一非故意掺杂层(3)；

S4，在所述第一非故意掺杂层(3)上生长第一掺杂硅N型层(4)；

S5，在所述第一掺杂硅N型层(4)上生长AlGaN插入层(5)；

S6，在所述AlGaN插入层(5)上生长第二掺杂硅N型层(6)；

S7，在所述第二掺杂硅N型层(6)上表面一侧生长第二非故意掺杂层(7)；

S8，在所述第二非故意掺杂层(7)上设置Ni/Au电极(8)；

S9，在所述电极(8)上设置加厚电极(9)，在所述第二掺杂硅N型层(6)上表面的另一侧设置N型电极(10)，其中，在所述N型电极(10)两侧形成有二氧化硅。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

选取蓝宝石衬底，将所述衬底置于MOCVD反应室中；

向所述反应室通入氢气，将所述反应室内温度维持在1050℃，对所述蓝宝石衬底表面进行清洁处理。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

将所述反应室温度降至540℃，生长厚度为20nm的低温成核层(2)。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

将所述反应室温度升至1100℃，压力调节至200Torr，生长厚度为3μm的第一非故意掺杂层(3)。