[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法在审
申请号: | 202310099528.8 | 申请日: | 2023-01-31 |
公开(公告)号: | CN115966617A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 李瑞峰;胡锐;范汝晶;张宁;邱彦凯 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法,太阳能电池包括:硅基底;位于硅基底的第一表面且在远离硅基底的方向上依次设置的PN结、第一钝化层、功能层、第二钝化层、以及穿透PN结、第一钝化层、功能层和第二钝化层且与硅基底形成电连接的第一电极;其中,功能层包括多层功能子层,由第一钝化层指向第二钝化层的方向上,功能子层的折射率逐渐降低;位于硅基底的第二表面且在远离硅基底的方向上设置与硅基底形成电连接的第二电极。通过设置多层渐变折射率的功能子层,光经过多次折射更加垂直地进入硅基底,增加光吸收,提升载流子浓度,降低电池片表面载流子复合,增大电池正面短路电流、开路电压,提高电池效率以及组件输出功率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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