[发明专利]集成肖特基二极管的垂直碳化硅沟槽型MOSFET在审
| 申请号： | 202310097242.6 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116314327A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘杰 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 李春林 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅沟槽型MOSFET，属于半导体器件技术领域。该集成肖特基二极管的垂直碳化硅沟槽型MOSFET包括：N‑碳化硅漂移层设于N+碳化硅衬底层上，N‑碳化硅漂移层内设有P柱，N‑碳化硅漂移层上依次设有N+区和P‑body区；沟槽栅极结构设置于N+区和P‑body区，沟槽栅极结构包括与N‑碳化硅漂移层接触的栅极氧化层和位于栅极氧化层上方的栅极层，沟槽栅极结构的第一侧被刻蚀；肖特基金属结构与P柱接触，肖特基金属结构与N+区接触形成肖特基二极管，肖特基金属结构和沟槽栅极结构的第二侧之间限定出的容纳槽内填充有低介电常数介质。该器件可以提升器件的反向恢复速度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 二极管 垂直 碳化硅 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
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