[发明专利]LED外延片及其制备方法、LED有效
| 申请号： | 202310094921.8 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115799415B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。提升电压分布均匀性的LED外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层包括依次层叠的SiN晶种层、SiGaN粗化层和SiGaN填平层；其中，所述SiGaN粗化层中Si的掺杂浓度大于所述SiGaN填平层中Si的掺杂浓度。实施本发明，可提升LED的电压分布均匀性，提高抗静电能力和表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310094921.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
