[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310093847.8 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN115995484A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 吴健;邬瑞彬 | 申请（专利权）人： | 上海鼎泰匠芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 别亚琴 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括衬底、埋层、第一阱区、第二阱区、第一电极引出区、基极引出区、第二电极引出区以及多个轻掺杂区。埋层形成于衬底内，第一阱区设于埋层的上表层，第二阱区设于埋层的上表层，且与第一阱区间隔设置；第一电极引出区和基极引出区均形成于第一阱区的上表层内，且彼此电隔离设置；第二电极引出区形成于第二阱区的上表层内，多个轻掺杂区包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区位于第一电极引出区和基极引出区之间，第二轻掺杂区位于基极引出区和第二电极引出区之间。其中，轻掺杂区的掺杂浓度小于第一阱区的掺杂浓度。可有效提高半导体器件的击穿电压，以满足用户的使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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