[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，具有第一导电类型；

埋层，形成于所述衬底内，且具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；

第一阱区，设于所述埋层的上表层，且具有所述第一导电类型；

第二阱区，设于所述埋层的上表层，且与所述第一阱区间隔设置，具有所述第二导电类型；

第一电极引出区和基极引出区，均形成于所述第一阱区的上表层内，且彼此电隔离设置；所述基极引出区位于所述第一电极引出区的外围；所述第一电极引出区具有所述第二导电类型，所述基极引出区具有所述第一导电类型；

第二电极引出区，形成于所述第二阱区的上表层内，且具有所述第二导电类型；以及

多个轻掺杂区，包括形成于所述第一阱区的上表层的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区位于所述第一电极引出区和所述基极引出区之间，所述第二轻掺杂区位于所述基极引出区和所述第二电极引出区之间；

其中，所述轻掺杂区具有所述第一导电类型，且所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第一阱区的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；

所述第一电极引出区引出作为第一电极，当所述第一电极输入电压时，所述第一电极引出区、所述基极引出区和所述第一阱区形成的整体与所述第二电极引出区共同构成NPN晶体管。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极引出区引出作为第二电极；

当所述第一电极输入正电压时，所述第一电极作为所述NPN晶体管的发射极，所述第二电极作为所述NPN晶体管的集电极，所述基极引出区和所述第一阱区共同作为所述NPN晶体管的基区。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一轻掺杂区为环形结构，且环绕所述第一电极引出区设置；或

所述第一电极引出区设有多个，多个所述第一电极引出区之间电性连接以作为第一电极；所述第一阱区的上表层设有分别与所述第一电极引出区一一对应的多个所述基极引出区和多个所述第一轻掺杂区；每一所述第一轻掺杂区位于对应的所述第一电极引出区和对应的所述基极引出区之间。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二轻掺杂区为环形结构，且环绕所述第一电极引出区设置；或

所述第二电极引出区设有多个，多个所述第二电极引出区之间电性连接以作为第二电极；所述第一阱区的上表层设有分别与所述第二电极引出区一一对应的多个所述基极引出区和多个所述第二轻掺杂区；每一所述第二轻掺杂区位于对应的所述基极引出区和对应的所述第二电极引出区之间。

6.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述多个轻掺杂区还包括第三轻掺杂区，所述第三轻掺杂区形成于所述埋层，且位于所述第二电极引出区的外围，所述第三轻掺杂区与所述第二阱区接触。

7.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述轻掺杂区一一对应的多个场氧结构，每一所述场氧结构形成于对应的所述轻掺杂区的上表层。