[发明专利]一种氮化镓的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202310089514.8 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116230521A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;谢家玉;沈厚军;许启诚 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;朱炎 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓的刻蚀方法，包括如下步骤：准备硅基氮化镓样品，对硅基氮化镓样品通过紫外光刻制备图形化掩膜；将刻有图形化掩膜的硅基氮化镓样品放置在热板上进行加热；对硅基氮化镓样品进行氮气吹扫，通入清洗气体，使用等离子体清洗机对硅基氮化镓样品进行清洁；将硅基氮化镓样品至于真空室中，通入工艺气体，稳定20s后进行起辉；使用电感耦合等离子体刻蚀法对硅基氮化镓样品进行刻蚀，得到成品。本发明提供的氮化镓刻蚀方法在氮化镓表面光刻制备图形化掩膜后，增加了后烘的步骤，促使光化学反应进行的更加充分，有效提高所制备的掩膜的质量；同时采用ICP刻蚀法，使得刻蚀能够更高效得进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京南智先进光电集成技术研究院有限公司，未经南京南智先进光电集成技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310089514.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
