[发明专利]二维半导体场效应晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310082579.X | 申请日： | 2023-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN115831761A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘锴;吴永煌 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/34;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 徐启艳 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：S10提供金属电极图案膜；S20将金属电极图案膜转移至二维缓冲材料的表面上，以得到金属电极预图案化缓冲材料；S30对金属电极预图案化缓冲材料进行刻蚀处理，以得到金属/缓冲材料复合电极；S40将二维半导体材料转移至背栅电极上，以得到二维半导体材料/背栅电极堆叠；S50将金属/缓冲材料复合电极转移至二维半导体材料/背栅电极堆叠中二维半导体材料与背栅电极所在表面相反的另一表面上，以得到二维半导体场效应晶体管。该制备方法可以通过减弱费米能级钉扎来降低肖特基势垒，得到具有良好电学性能的二维半导体场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310082579.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
