[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 202310074951.2 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116613085A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 清原康雄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;F26B5/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，用于降低超临界干燥后的基板的微粒水平。本公开的基板处理装置使用超临界状态的处理流体对表面附着有液体的基板进行超临界干燥处理，该基板处理装置具备：处理容器，其具有用于对基板进行超临界干燥处理的内部空间；外壳，在该外壳的内部设定有配置有处理容器的处理区域、以及用于基板的搬入和搬出的搬入搬出区域；交接部，其设置于搬入搬出区域，与从外壳的外部进入到搬入搬出区域的基板搬送臂之间进行基板的交接；基板移送机构，其在交接部与处理容器之间移送基板；以及气体供给部，其以能够向搬入搬出区域供给干燥气体的方式设置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
