[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202310074951.2 | 申请日: | 2023-02-07 |
公开(公告)号: | CN116613085A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 清原康雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;F26B5/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,用于降低超临界干燥后的基板的微粒水平。本公开的基板处理装置使用超临界状态的处理流体对表面附着有液体的基板进行超临界干燥处理,该基板处理装置具备:处理容器,其具有用于对基板进行超临界干燥处理的内部空间;外壳,在该外壳的内部设定有配置有处理容器的处理区域、以及用于基板的搬入和搬出的搬入搬出区域;交接部,其设置于搬入搬出区域,与从外壳的外部进入到搬入搬出区域的基板搬送臂之间进行基板的交接;基板移送机构,其在交接部与处理容器之间移送基板;以及气体供给部,其以能够向搬入搬出区域供给干燥气体的方式设置。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体晶圆等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造中,进行药液清洗或湿蚀刻等液处理。近年来,为了更可靠地防止近年愈发细微化的图案的倒塌,在作为液处理的最终工序的干燥工序中正在采用使用了超临界状态的处理流体的干燥方法(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-091772号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够降低超临界干燥后的基板的微粒水平的技术。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个实施方式,提供一种基板处理装置,该基板处理装置使用超临界状态的处理流体对表面附着有液体的基板进行超临界干燥处理,所述基板处理装置具备:处理容器,其具有用于对所述基板进行超临界干燥处理的内部空间;外壳,在该外壳的内部设定有配置有所述处理容器的处理区域、以及用于基板的搬入和搬出的搬入搬出区域;交接部,其设置于所述搬入搬出区域,与从所述外壳的外部进入到所述搬入搬出区域的基板搬送臂之间进行基板的交接;基板移送机构,其在所述交接部与所述处理容器之间移送基板;以及气体供给部,其以能够向所述搬入搬出区域供给干燥气体的方式设置。
发明的效果
根据本公开的上述实施方式,能够降低超临界干燥后的基板的微粒水平。
附图说明
图1是基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要横截面图。
图2是示出图1的基板处理系统中包括的超临界干燥单元的结构的纵截面图。
图3是图2的超临界干燥单元中包括的处理容器的横截面图。
图4是示出设置于图2的超临界干燥单元的外壳的搬入搬出口和门的概要图。
图5是示出对图2的超临界干燥单元进行处理流体的供给、排出的配管系统的结构的图。
图6A是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6B是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6C是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6D是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6E是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6F是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6G是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6H是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6I是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
图6J是说明超临界干燥单元的动作的作用图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造