[发明专利]半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法在审
| 申请号： | 202310074661.8 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116087733A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈家宝 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/04;G01N23/04;G01N23/2251;G01N23/18;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法，所述半导体结构上失效点的定位方法包括：提供治具；获取目标器件上失效点的失效坐标；将所述治具靠近所述目标器件；依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位点，于所述目标器件上标记对应位置。本公开通过与目标器件位置对应的治具直接定位失效坐标的具体位置，而不再需要通过数常闭触点的个数来确定失效坐标在目标器件上的具体位置，减少了去层切片检测之前在目标器件上根据前置步骤中在电性测试设备上抓取到的失效地址找到失效点的耗时，减小了目标器件所受电子束的辐照时长导致电性结果偏差的可能，同时为后续的定位切样步骤提供定位，降低了后续检测步骤的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 失效 定位 方法 制作方法 | ||
【主权项】：
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