[发明专利]提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法在审
| 申请号： | 202310074492.8 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116169160A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;王宝剑;元磊;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/265 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法，方法包括：在外延层上刻蚀若干深沟槽；在每个深沟槽内沉积氧化层；其中，在每个深沟槽内沉积的氧化层呈U型结构；在每个U型结构内沉积多晶硅源极；刻蚀氧化层和多晶硅源极，使每个深沟槽内氧化层的厚度低于多晶硅源极且多晶硅源极的厚度低于外延层；在多晶硅源极的周围沉积一层薄薄的氧化层；在每个深沟槽的氧化层上沉积多晶硅栅极；对深沟槽外的外延层进行P型离子注入形成低浓度体区；根据SOA能力需求，选择性对低浓度体区进行P型离子注入形成高浓度体区；在整个器件表面进行N型离子注入形成N型有源区。本发明可以应用于更高SOA需求的场景。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 屏蔽 沟槽 mos 器件 安全 工作 能力 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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