[发明专利]一种MOCVD反应腔及材料生长的方法在审
| 申请号： | 202310064077.4 | 申请日： | 2023-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN116065232A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张山丽;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;贲建伟;蒋科;石芝铭;刘明睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/14;C30B25/16;C23C16/48;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 张桂平 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请提供的MOCVD反应腔及材料生长的方法，包括：反应腔本体、设置于所述反应腔本体内的排气环、激光单元及激光控制单元，所述排气环包括外排气环及套设所述外排气环的内排气环，所述内排气环的内表面上安装有所述激光单元，所述外排气环的内部安装有所述激光控制单元，所述激光单元的激光有紫外和红外两个波段，所述激光控制单元用于控制所述激光的开关、激光功率、及光斑大小，上述MOCVD反应腔及材料生长的方法，通过探测衬底表面温度，同时，将该温度信号反馈给激光控制单元，激光控制单元根据分析结果，改变激光光斑的大小和激光功率的大小，进而实现提高反应室的生长温度和温场的均匀性的目的，最终提高外延材料的晶体质量，不但可以实现高效的p型掺杂，同时还可以实现精准控温，提高设备的温场均匀性和材料的生长温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
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