[发明专利]多电子束描绘装置以及多电子束描绘方法在审
| 申请号： | 202310053619.8 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116610003A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 岩崎光太 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01J37/317;H01J37/30;H01J37/04;H01J37/10;H01J37/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种多电子束描绘装置以及多电子束描绘方法，能够提高形成电子束的光电面的各区域的受光量的均匀性。本发明的一个方案的多电子束描绘装置具备：阵列光源，具有多个光源，产生多个第1光；多透镜阵列，具有多个透镜，多个第1光的各第1光对多个透镜中各自的一部分的多个透镜进行照明，多个透镜中的至少一部分透镜受到多个第1光中的两个以上的第1光的照射，由此将多个第1光分割为多个第2光；光电面，从表面入射多个第2光，从背面发射多光电子束；以及消隐孔径阵列机构，进行独立地切换多光电子束的各射束的射束开启/截止的单独消隐控制。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 描绘 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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