[发明专利]一种相变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310052013.2 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN116113311A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 周夕淋;李程兴;宋志棠;刘卫丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器设有衬底(1)和若干个电极单元；所述电极单元自下至上包括刀片电极层(2)、相变材料层(3)、第一黏附层(4)、选通管材料层(5)、第二黏附层(6)、顶电极层(7)；所述电极单元之间留有沟槽；阻挡层(8)沉积于所述电极单元表面；介质层(9)填充于所述电极单元之间的沟槽中。本发明的结构可有效的提高相变存储器的性能和容量，同时提供相应的低刻蚀损伤的制备方法获取该结构，具有良好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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