[发明专利]肖特基二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 202310046081.8 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN116072704B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 胡少年;张德培 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管及其形成方法。该肖特基二极管包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面，该第一表面具有第一区域；多个第一绝缘介质结构，多个绝缘介质结构间隔设置且覆盖部分第一区域；第一导电层，该第一导电层覆盖裸露的第一区域；第二导电层，部分第二导电层设置于多个第一绝缘介质结构远离半导体衬底的一侧，第二导电层与第一导电层接触。采用上述肖特基二极管，使得在第二导电层上施加电压时，能够在与第一绝缘介质结构对应的半导体衬底中形成反型耗尽层，从而降低晶体管的表面电场，提高二极管的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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