[发明专利]纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用在审
| 申请号： | 202310040085.5 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116058128A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 尹军良;胡海骏;朱永兴;王艳红;郭昌权;刘小岑;彭慧敏;刘奕清 | 申请（专利权）人： | 长江大学 |
| 主分类号： | A01C1/00 | 分类号： | A01C1/00 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 杨婷 |
| 地址： | 434000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及植物育种技术领域，公开了纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用。本发明中当纳米硅溶液浓度分别是250mg/L和300mg/L的情况下，盐胁迫下的辣椒种子发芽率、芽长、发芽势显著提高，辣椒胚根的脂质过氧化程度减轻，过氧化氢和超氧阴离子自由基含量降低，盐胁迫对辣椒胚根的伤害减轻；并且纳米硅可以缓解盐胁迫对辣椒种子萌发的抑制作用，对盐胁迫下辣椒种子的萌发有促进效果，为提高辣椒种子萌发率提供了新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 胁迫 条件下 辣椒 萌发 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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