[发明专利]纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用

说明书

本发明涉及植物育种技术领域，公开了纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用。本发明中当纳米硅溶液浓度分别是250mg/L和300mg/L的情况下，盐胁迫下的辣椒种子发芽率、芽长、发芽势显著提高，辣椒胚根的脂质过氧化程度减轻，过氧化氢和超氧阴离子自由基含量降低，盐胁迫对辣椒胚根的伤害减轻；并且纳米硅可以缓解盐胁迫对辣椒种子萌发的抑制作用，对盐胁迫下辣椒种子的萌发有促进效果，为提高辣椒种子萌发率提供了新的思路。

技术领域

本发明涉及植物育种技术领域，更具体地说，它涉及纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用。

背景技术

辣椒为茄科，辣椒属植物，于16世纪传入我国，经过400年的发展已成为我国重要的经济作物之一。近年来，辣椒种植面积逐年扩大，多年连作以及化肥的大量施用导致土壤盐渍化。盐渍化会破坏土壤结构，造成土地退化和生态环境恶化，使作物的产量和品质大幅降低，是限制植物正常生长发育的最主要的非生物胁迫因素之一。不同生长阶段的植物对盐胁迫的响应不同,萌发期是植物最早接受逆境胁迫信号的阶段，植物在萌发期对盐胁迫的响应最敏感。

种子萌发期的耐盐性可以反映出该品种对其他时期的耐盐性，种子萌发期的耐盐性是早期鉴定筛选耐盐品种的主要证据之一。为了解决盐渍地辣椒种子难以萌发的问题，使盐渍地的辣椒种子也能够正常萌发从而保证辣椒的品质和产量，对辣椒市场的扩大以及提高辣椒的产量具有重要意义。

发明内容

为了克服现有技术中所存在的上述缺陷，本发明提供了纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用，本发明中当纳米硅溶液浓度分别是250mg/L和300mg/L的情况下，盐胁迫下的辣椒种子发芽率、芽长、发芽势显著提高，辣椒胚根的脂质过氧化程度减轻，过氧化氢和超氧阴离子自由基含量降低，盐胁迫对辣椒胚根的伤害减轻；并且纳米硅可以缓解盐胁迫对辣椒种子萌发的抑制作用，对盐胁迫下辣椒种子的萌发有促进效果，为提高辣椒种子萌发率提供了新的思路。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用。

进一步的，盐胁迫处理采用NaCl溶液。

进一步的，纳米硅颗粒的粒径为20nm。

进一步的，纳米硅溶液搅拌均匀后需进行超声波震荡处理。

进一步的，辣椒种子的培养温度为28±1℃。

综上所述，本发明具有以下有益效果：本发明中当纳米硅溶液浓度分别是250mg/L和300mg/L的情况下，盐胁迫下的辣椒种子发芽率、芽长、发芽势显著提高，辣椒胚根的脂质过氧化程度减轻，过氧化氢和超氧阴离子自由基含量降低，盐胁迫对辣椒胚根的伤害减轻；并且纳米硅可以缓解盐胁迫对辣椒种子萌发的抑制作用，对盐胁迫下辣椒种子的萌发有促进效果，为提高辣椒种子萌发率提供了新的思路。

附图说明

图1是本发明实施例1中八种辣椒种子的不同处理情况的对照图；

图2是本发明实施例2中不同处理情况下晶螺传奇种子的萌发对比图；

图3是本发明实施例2中不同处理情况下贵妃椒种子的萌发对比图；

图4是本发明实施例2中晶螺传奇和贵妃椒种子萌发率、胚根长度和发芽指数的统计图；

图5是本发明实施例2中晶螺传奇和贵妃椒种子胚根染色图；

图6是本发明实施例2中晶螺传奇和贵妃椒种子中超氧化物歧化酶、过氧化物酶、过氧化氢酶和丙二醛的含量统计图；

图7是本发明实施例3中清水对照组和纳米硅处理组第16天辣椒胚根长度对比图；

图8是本发明实施例3中清水对照组和纳米硅处理组第150天的辣椒植株生长情况图；