[发明专利]纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用在审
| 申请号： | 202310040085.5 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116058128A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 尹军良;胡海骏;朱永兴;王艳红;郭昌权;刘小岑;彭慧敏;刘奕清 | 申请（专利权）人： | 长江大学 |
| 主分类号： | A01C1/00 | 分类号： | A01C1/00 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 杨婷 |
| 地址： | 434000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 胁迫 条件下 辣椒 萌发 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1.纳米硅在盐胁迫条件下的辣椒萌发中的应用。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，盐胁迫处理采用NaCl溶液。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，纳米硅颗粒的粒径为20nm。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，纳米硅溶液搅拌均匀后需进行超声波震荡处理。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，辣椒种子的培养温度为28±1℃。
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