[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202310027557.3 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116507134A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 申珖赫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体存储器件。半导体存储器件可以包括一个或更多个存储单元，以及存储单元中的每一个可以包括：存储部，其用于存储数据；以及选择元件单元，其与存储部电连接并且包括第一电极层、第二电极层和选择元件层，该选择元件层包括掺杂有掺杂剂的绝缘材料层并且被插置在第一电极层和第二电极层之间，其中，绝缘材料层具有二维晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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