[发明专利]具有高电流能力的静电放电保护装置在审
| 申请号： | 202310018563.2 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN116435297A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金圣龙;苏迪尔·普拉萨德;斯里拉姆·N·S;S·拉什卡尔;C·科措 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述具有高电流能力的静电放电ESD保护装置。所述ESD保护装置(302)可包含串联连接的一对双向二极管(第一(305)及第二(325)双向二极管)。所述双向二极管(305、325)中的每一者包含并联连接的低电容LC二极管(310、330)及旁通二极管(315、335)。在ESD事件期间，电流流动通过所述第一双向二极管(305)的所述LC二极管(310)及所述第二双向二极管(325)的所述旁通二极管(335)。设计所述LC二极管及所述旁通二极管的特定布置以促进所述电流在被所述ESD保护装置占用的整个区域内均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 能力 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
