[发明专利]半导体设备以及用于制造该半导体设备的方法在审
| 申请号： | 202310009353.7 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116741799A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李秉镐 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌;崔慧玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体设备以及用于制造该半导体设备的方法。一种半导体设备可以包括：半导体层、栅极绝缘层和栅极电极，被顺序地形成在沟槽中，该沟槽从第一衬底的第一表面形成至预定深度；第三衬底，被结合到第一衬底的与第一表面相对的第二表面；以及气隙，介于半导体层与第一衬底之间，并且介于半导体层与第三衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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