[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202310008233.5 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116456724A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李同规;金侑瞋;延国贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体存储器装置包括：第一衬底，其限定单元阵列区；模制结构，其包括按次序间隔开并且按照台阶形式堆叠在第一衬底上的多个栅电极；以及沟道孔，其限定为在垂直于第一衬底的上表面的竖直方向上穿过单元阵列区上的多个栅电极。所述装置包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的信息储存层，信息储存层包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的阻挡绝缘层、阻挡绝缘层上的电荷储存层和隧穿绝缘层。所述装置包括沟道孔内的信息储存层上的沟道层以及布置为填充沟道层上的沟道孔的绝缘图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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