[实用新型]外延结构以及半导体器件有效
| 申请号： | 202223476195.6 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN219326868U | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L29/205 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 龙永丁 |
| 地址： | 510700 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种外延结构以及半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构通过在AlN外延层前设置缓冲层以及插入层与衬底之间进行过渡，避免影响AlN外延层表面的粗糙度，获得AlN外延层表面更为平整的外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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