[实用新型]防脱落陶瓷柱以及半导体器件的加工装置有效
| 申请号： | 202223180873.4 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN218860880U | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 贾鑫;朱佳奇;刘思然;郭强;李书新;张艳喆;闫浩 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐迪 |
| 地址： | 110171 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种防脱落陶瓷柱以及一种半导体器件的加工装置。上述防脱落陶瓷柱包括：陶瓷柱本体，其中部设有通孔结构；以及所述定位销，其中，所述定位销的底部设有第一磁吸结构，所述第一磁吸结构穿过所述通孔结构连接所述晶圆托盘上的第二磁吸结构，所述定位销的顶部设有限位结构，用于压制所述陶瓷柱本体的顶部，以将所述陶瓷柱本体固定在所述晶圆托盘上。 | ||
| 搜索关键词： | 脱落 陶瓷 以及 半导体器件 加工 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
