[实用新型]防脱落陶瓷柱以及半导体器件的加工装置

权利要求书

1.一种防脱落陶瓷柱，其特征在于，包括：

陶瓷柱本体，其中部设有通孔结构；以及

定位销，其中，所述定位销的底部设有第一磁吸结构，所述第一磁吸结构穿过所述通孔结构连接晶圆托盘上的第二磁吸结构，所述定位销的顶部设有限位结构，用于压制所述陶瓷柱本体的顶部，以将所述陶瓷柱本体固定在所述晶圆托盘上。

2.如权利要求1所述的防脱落陶瓷柱，其特征在于，所述通孔结构包括圆柱形通孔，具有第一尺寸，所述定位销的中部为圆柱型结构，具有第二尺寸，所述限位结构具有第三尺寸，其中，所述第二尺寸不大于所述第一尺寸，以供所述第一磁吸结构穿过所述通孔结构连接所述第二磁吸结构，所述第三尺寸大于所述第一尺寸，以压制所述陶瓷柱本体的顶部。

3.如权利要求2所述的防脱落陶瓷柱，其特征在于，所述通孔结构的顶部以及所述限位结构的底部分别为倒锥形结构，并相互匹配，所述倒锥形结构的横截面积随着高度的增加而增大。

4.如权利要求1所述的防脱落陶瓷柱，其特征在于，所述晶圆托盘为加热盘，所述第一磁吸结构和/或所述第二磁吸结构选用铝钴镍磁铁。

5.一种半导体器件的加工装置，其特征在于，包括：

晶圆托盘，其中包括托盘本体，以及设于所述托盘本体上的第二磁吸结构；以及

如权利要求1～4中任一项所述的防脱落陶瓷柱。

6.如权利要求5所述的加工装置，其特征在于，所述加工装置包括多个所述防脱落陶瓷柱，所述晶圆托盘上设有多个所述第二磁吸结构，其中，多个所述第二磁吸结构均匀地分布于所述晶圆托盘的表面，每一所述防脱落陶瓷柱连接一个所述第二磁吸结构。

7.如权利要求5所述的加工装置，其特征在于，所述晶圆托盘为加热盘，设于所述防脱落陶瓷柱底部的第一磁吸结构和/或所述第二磁吸结构选用铝钴镍磁铁。