[实用新型]一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置有效
| 申请号： | 202222023897.2 | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN218274527U | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 燕强;刘康华;王尧林;朱焱均;赵大国 | 申请（专利权）人： | 乂易半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/04;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 刘迪 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，涉及半导体制造设备技术领域，所述能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置包括外槽和设置于外槽内部的内槽，内槽内设置有进液管，内槽内位于进液管的上方水平设置有匀流板，匀流板上密布有多个匀流孔，内槽的槽壁设置有溢流口，内槽通过溢流口与外槽相连通；本实用新型通过匀流板使进液管进入的水流能够均匀流经晶圆，配合由下至上，流速逐减的水流方式，一方面能够有效去除晶圆下半部分的刻蚀液，另一方面匀流板匀流效果显著，能够有效提高水流对晶圆的清洗均匀性，从而改善晶圆刻蚀后的均匀性，同时流体不易发生扰流，能够有效减少晶圆表面沾染颗粒尘埃，洁净效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 提高 刻蚀 均匀 湿法 清洗 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
