[实用新型]一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置有效
| 申请号： | 202222023897.2 | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN218274527U | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 燕强;刘康华;王尧林;朱焱均;赵大国 | 申请（专利权）人： | 乂易半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/04;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 刘迪 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 提高 刻蚀 均匀 湿法 清洗 装置 | ||
1.一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，包括外槽和设置于所述外槽内部的内槽，其中：
所述内槽内设置有进液管，所述内槽内位于所述进液管的上方水平设置有匀流板，所述匀流板上密布有多个匀流孔，所述内槽的槽壁设置有溢流口，所述内槽通过所述溢流口与所述外槽相连通。
2.根据权利要求1所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述匀流板的数量设置为一个，所述匀流板将所述内槽的内腔分隔为位于上侧的晶圆容置腔和位于下侧的进液腔；
所述进液管设置在所述进液腔内；
所述晶圆容置腔通过所述溢流口与所述外槽相连通。
3.根据权利要求2所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述进液管上设置有进液口。
4.根据权利要求3所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述进液管包括进液总管和多个水平设置的进液支管，其中：
所有所述进液支管均与所述进液总管相连，所有所述进液支管并联设置；
所述进液口设置在所述进液支管上。
5.根据权利要求4所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，每个所述进液支管的顶侧管壁上均沿轴向均匀设置有多个所述进液口。
6.根据权利要求1所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述内槽的底壁与所述内槽连通设置有第一排液口。
7.根据权利要求1所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述外槽的底壁与所述外槽连通设置有第二排液口。
8.根据权利要求1所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述内槽的槽壁顶侧开设有沟槽，所述内槽通过所述沟槽与所述外槽相连通，所述沟槽形成所述溢流口。
9.根据权利要求8所述的能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，其特征在于，所述溢流口的数量设置为多个，所有所述溢流口沿所述内槽槽壁的顶边部依次均匀设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
