[实用新型]一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置有效

申请号：	202222023897.2	申请日：	2022-08-02
公开（公告）号：	CN218274527U	公开（公告）日：	2023-01-10
发明（设计）人：	燕强;刘康华;王尧林;朱焱均;赵大国	申请（专利权）人：	乂易半导体科技（无锡）有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;B08B3/04;B08B13/00
代理公司：	北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471	代理人：	刘迪
地址：	214000 江苏省无锡市新吴区新华***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种能够提高刻蚀均匀湿法清洗装置
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【说明书】：

本实用新型提供了一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，涉及半导体制造设备技术领域，所述能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置包括外槽和设置于外槽内部的内槽，内槽内设置有进液管，内槽内位于进液管的上方水平设置有匀流板，匀流板上密布有多个匀流孔，内槽的槽壁设置有溢流口，内槽通过溢流口与外槽相连通；本实用新型通过匀流板使进液管进入的水流能够均匀流经晶圆，配合由下至上，流速逐减的水流方式，一方面能够有效去除晶圆下半部分的刻蚀液，另一方面匀流板匀流效果显著，能够有效提高水流对晶圆的清洗均匀性，从而改善晶圆刻蚀后的均匀性，同时流体不易发生扰流，能够有效减少晶圆表面沾染颗粒尘埃，洁净效果显著。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置。

背景技术

随着半导体制程的发展，关键尺寸的减小，湿法刻蚀对片间及片内均匀性的要求越来越高，特别是高浓度氢氟酸刻蚀及氟化氨刻蚀之后，当晶圆从化学品槽移动到溢流槽时，晶圆表面仍然残留着大量的化学品在继续与晶圆表面发生反应，由于晶圆在刻蚀时竖直立于槽内，因此晶圆的下部分刻蚀量大于晶圆的上部分。

图5所示为现有湿法刻蚀清洗装置的结构简图，现有湿法刻蚀清洗装置包括内槽和外槽，在对前述刻蚀后的晶圆进行清洗时，晶圆竖直放置在内槽内，水流经内槽槽底的进液管进入，流经晶圆后溢流到外槽，在此过程中槽内流体的流速均匀性较差，流体流向不够清晰，流场中会形成多个小漩涡，使制程处理后的斥水性晶圆表面更容易沾染颗粒尘埃，具体表现为：

1.刻蚀的均匀性较差，具体表现为片内的上下均匀性差，由于流体的不均匀流动导致不同晶圆或同一晶圆的不同部分对化学品清洗不及时造成蚀刻量的偏差。

2.洁净度较差，具体表现为扰流形成的气泡，更容易让斥水性的晶圆表面沾染颗粒尘埃。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，以解决现有技术中存在的采用现有湿法刻蚀清洗装置清洗刻蚀后的晶圆，刻蚀的均匀性和洁净度较差的技术问题；本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果；详见下文阐述。

为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

本实用新型提供的一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，包括外槽和设置于所述外槽内部的内槽，其中：所述内槽内设置有进液管，所述内槽内位于所述进液管的上方水平设置有匀流板，所述匀流板上密布有多个匀流孔，所述内槽的槽壁顶侧设置有溢流口，所述内槽通过所述溢流口与所述外槽相连通。

优选地，所述匀流板的数量设置为一个，所述匀流板将所述内槽的内腔分隔为位于上侧的晶圆容置腔和位于下侧的进液腔；所述进液管设置在所述进液腔内；所述晶圆容置腔通过所述溢流口与所述外槽相连通。

优选地，所述进液管上设置有进液口。

优选地，所述进液管包括进液总管和多个水平设置的进液支管，其中：所有所述进液支管均与所述进液总管相连，所有所述进液支管并联设置；所述进液口设置在所述进液支管上。

优选地，每个所述进液支管的顶侧管壁上均沿轴向均匀设置有多个所述进液口。

优选地，所述内槽的底壁与所述内槽连通设置有第一排液口。

优选地，所述外槽的底壁与所述外槽连通设置有第二排液口。