[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202221641759.4 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN218182217U | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈家忠;周文昇;彭永州;刘雅芸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括第一半导体阱。该半导体器件包括设置在第一半导体阱上方并沿第一横向方向延伸的通道结构。该半导体器件包括沿第二横向方向延伸并跨越通道结构的栅极结构。该半导体器件包括设置在通道结构的第一侧上的第一外延结构。半导体器件包括设置在通道结构的第二侧上的第二外延结构，第一侧和第二侧在第一横向方向上彼此相对。第一外延结构通过第一半导体阱中的第二半导体阱与第一半导体阱电耦合，且第二外延结构通过介电层与第一半导体阱电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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