[实用新型]一种双层对开辊底式退火炉有效
| 申请号： | 202221305085.0 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN217641229U | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 贾炳根;李凤林 | 申请（专利权）人： | 泰州市华鑫炉业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C21D9/08;C21D1/26;F27B9/02;F27B9/24 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 朱易顺 |
| 地址： | 225300 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双层对开辊底式退火炉，包括主辊座架和辊座架，所述主辊座架的内侧设置有多组输送辊A，所述辊座架的内侧设置有多组输送辊B，所述主辊座架的一侧固定连接有退火炉箱，所述主辊座架表面的两端固定连接有三组支撑腿A。本实用新型提供的双层对开辊底式退火炉通过固定安装机构与固定块之间的固定配合，可将辊座架快速的固定到主辊座架一侧，同时可根据工件的长度来对多组的辊座架进行拼接处理，从而根据需求来进行安装辊座架，从而提高该辊底式退火炉的适用性，且当不使用该辊底式退火炉时，可快速的对多组辊座架进行的拆装，从而避免占用空间，且结构简单操作方便，大大的降低了操作人员的拆装难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 对开 辊底式 退火炉 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
