[实用新型]一种双层对开辊底式退火炉有效
申请号: | 202221305085.0 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN217641229U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 贾炳根;李凤林 | 申请(专利权)人: | 泰州市华鑫炉业有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C21D9/08;C21D1/26;F27B9/02;F27B9/24 |
代理公司: | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人: | 朱易顺 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 对开 辊底式 退火炉 | ||
本实用新型提供一种双层对开辊底式退火炉,包括主辊座架和辊座架,所述主辊座架的内侧设置有多组输送辊A,所述辊座架的内侧设置有多组输送辊B,所述主辊座架的一侧固定连接有退火炉箱,所述主辊座架表面的两端固定连接有三组支撑腿A。本实用新型提供的双层对开辊底式退火炉通过固定安装机构与固定块之间的固定配合,可将辊座架快速的固定到主辊座架一侧,同时可根据工件的长度来对多组的辊座架进行拼接处理,从而根据需求来进行安装辊座架,从而提高该辊底式退火炉的适用性,且当不使用该辊底式退火炉时,可快速的对多组辊座架进行的拆装,从而避免占用空间,且结构简单操作方便,大大的降低了操作人员的拆装难度。
技术领域
本实用新型涉及退火炉技术领域,尤其涉及一种双层对开辊底式退火炉。
背景技术
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能,热处理是针对不同的效果而设计的,热处理炉分为退火炉、淬火炉、回火炉、正火炉、调质炉,主要用于大型碳钢、合金钢零件的退火;表面淬火件回火;焊件消除应力退火、时效等热处理工艺,加热方式有电加热、燃油、燃气、燃煤、热风循环,退火炉是一种新型换热设备,退火炉是节能型周期式作业炉,超节能结构,采用纤维结构,节电60%,目前的辊底式退火炉在使用,需要辊式输送带进行输送工件,而工件一般为管状的,因而需要过长的辊式输送带,从而使得辊底式退火炉的需要较长的占地空间,当不使用时较为占用空间,且不便于根据工件的长度来对辊式输送带进行长度调节,导致实用性较差。
实用新型内容
本实用新型提供一种双层对开辊底式退火炉,解决了目前的辊底式退火炉在使用,需要辊式输送带进行输送工件,而工件一般为管状的,因而需要过长的辊式输送带,从而使得辊底式退火炉的需要较长的占地空间,当不使用时较为占用空间,且不便于根据工件的长度来对辊式输送带进行长度调节,导致实用性较差的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的双层对开辊底式退火炉,包括主辊座架和辊座架,所述主辊座架的内侧设置有多组输送辊 A,所述辊座架的内侧设置有多组输送辊B,所述主辊座架的一侧固定连接有退火炉箱,所述主辊座架表面的两端固定连接有三组支撑腿 A,所述辊座架表面的两端固定连接有两组支撑腿B,所述主辊座架表面两端的一侧与辊座架表面两端的一侧皆设置有固定安装机构,所述辊座架表面两端远离固定安装机构的一侧固定连接有拼接机构。
优选的,所述固定安装机构包括固定仓、设置于所述主辊座架表面两端的一侧与辊座架表面两端的一侧,所述固定仓内腔的两端对称设置有固定板,所述固定板的顶端固定设置有双向螺纹杆,且双向螺纹杆贯穿两组固定板,所述固定板外侧壁的顶端与底端皆套设有螺纹套杆,所述固定仓表面的一侧对称开设有定位通口。
优选的,所述拼接机构包括固定块、设置于所述辊座架表面两端远离固定安装机构的一侧,所述固定块顶端的一侧开设有插孔,且固定块的一端通过定位通口延伸至固定仓的内腔,所述螺纹套杆和插孔相互适配。
优选的,所述固定仓表面的两端开设有操作通口,且操作通口与固定仓相互连通。
优选的,所述双向螺纹杆外侧壁两组固定板之间固定套设有把手转盘,且把手转盘的外侧壁套设有防滑纹。
优选的,所述支撑腿B的底端固定连接有滚轮,所述滚轮上设置有制动装置。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、通过固定安装机构与固定块之间的固定配合,可将辊座架快速的固定到主辊座架一侧,同时可根据工件的长度来对多组的辊座架进行拼接处理,从而根据需求来进行安装辊座架,从而提高该辊底式退火炉的适用性,且当不使用该辊底式退火炉时,可快速的对多组辊座架进行的拆装,从而避免占用空间,且结构简单操作方便,大大的降低了操作人员的拆装难度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造