[实用新型]一种光伏二极管的框架阴刻结构有效
| 申请号： | 202220964582.5 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN217114385U | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 钱靖;陈显平;李博 | 申请（专利权）人： | 重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 重庆仟佰度专利代理事务所(普通合伙) 50295 | 代理人： | 廖龙春 |
| 地址： | 402760 重庆市璧山区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种光伏二极管的框架阴刻结构，包括引脚和框架底板，框架底板上设有焊盘区，焊盘区上设有若干相对于焊盘区凹陷的凹点，焊盘区上还设有相对于焊盘区凹陷的凹槽。本实用新型解决了半导体器件在平面烧结时焊膏容易攀升至芯片侧表面的问题，并且加强焊膏烧结处的抗剪切强度，还能提升半导体器件中心区域焊膏烧结质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 框架 结构 | ||
【主权项】：
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