[实用新型]VDMOS器件和电子电路有效
| 申请号： | 202220881295.8 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN217114400U | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张薇;常东旭;刘刚 | 申请（专利权）人： | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种VDMOS器件和电子电路，该VDMOS器件包括：半导体基片，包括层叠设置的衬底和外延层，半导体基片包括有源区和限定有源区的终端区，其中有源区的转角为倒角；位于终端区的场限环，场限环包括位于外延层的注入区，且注入区环绕有源区；位于外延层中的多个第一阱区；位于第一阱区中的第二阱区，其中，第一阱区和第二阱区的掺杂类型相反；其中，在有源区的转角区域，靠近有源区边界的第一阱区在衬底上的正投影具有多个边，多个边包括第一边，第一边与有源区边界重合。该设置方式通过使靠近有源区边界的第一阱区中的第一边与有源区边界重合，确保第一阱区与第一个场限环的注入区可以充分交叠，提高了转角区域击穿电场。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 电子电路 | ||
【主权项】：
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