[实用新型]一种逆导型半导体装置

摘要

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种降低阳极注入效率的逆导型半导体装置，包括IGBT区域与二极管区域，所述IGBT区域和二极管区域包括N‑漂移区，所述N‑漂移区上共设置有多对周期性沟槽结构，相邻对的沟槽结构之间有深扩散的P浮空区，所述P浮空区表面有N+阻挡层；IGBT区域与二极管区域的N+阻挡层上方设置有第一金属导电层与第二金属导电层，且两者之间通过电阻相连。本申请在传统逆导型半导体装置基础上，通过在P浮空区上方引入N+阻挡层，利用与N+阻挡层形成欧姆接触的第一金属导电层、第一金属导电层与第二金属导电层之间的高电阻，降低器件二极管工作模式下的阳极注入效率，起到优化器件二极管特性的效果。