[实用新型]一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜有效

专利信息
申请号: 202220658942.9 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN217426717U 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 戚佳斌;李忠贤;赵毅 申请(专利权)人: 中国电子科技南湖研究院
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 杨天娇
地址: 314002 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜,柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片,单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm~80μm,半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置,并与单晶硅片电性连接,聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜,单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm~80μm,聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点,又兼容半导体芯片高温制备工艺,具有高性能,提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性,且生产效率和良品率高,移取方便。
搜索关键词: 一种 柔性 单晶硅 薄膜 半导体器件
【主权项】:
暂无信息
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