[实用新型]一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜有效
申请号: | 202220658942.9 | 申请日: | 2022-03-24 |
公开(公告)号: | CN217426717U | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 戚佳斌;李忠贤;赵毅 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技南湖研究院 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杨天娇 |
地址: | 314002 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜,柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片,单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm~80μm,半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置,并与单晶硅片电性连接,聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜,单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm~80μm,聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点,又兼容半导体芯片高温制备工艺,具有高性能,提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性,且生产效率和良品率高,移取方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 单晶硅 薄膜 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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