[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202220428065.6 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN216749877U | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;窦志珍;兰晓雯;杨琦;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/18;C23C14/34;C23C14/16 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，包括第一晶片、第二晶片及键合第一晶片和第二晶片的键合层，键合层包括设于第一晶片上的第一Si薄层、以及设于第二晶片上的第二Si薄层，第一Si薄层和第二Si薄层通过Si原子键相互键合。本实用新型通过使用Si薄层作为键合层，由于Si薄层极薄因此可透光，对光的穿透无影响；而Si薄层之间通过键能进行键合，使得有效键合成功率较传统键合工艺高20％及以上，从而能够同时满足高透光和高键合成功率的双重要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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