[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件有效
| 申请号： | 202220118055.2 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN216793696U | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 于霄恬 | 申请（专利权）人： | 海科（嘉兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 董延丽 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层第一高掺杂P型区域，以及每层第一高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；阱区与相邻的第一高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；每个高掺杂P型区域被四个JFET区域环绕；肖特基区域以及JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度，JFET区域的宽度以及每层第一高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 结势垒肖特基 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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