[发明专利]一种闸极结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211720201.X | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116013965A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 魏久雲;陈蒋军;张路滋;曾成 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闸极结构及其制备方法，该闸极结构的制备方法包括以下步骤：提供一包括衬底、栅极沟槽、界面层、层间介质层及介电层的半导体结构；依次形成位于栅极沟槽内壁及介电层上表面的底部阻挡层及覆盖底部阻挡层显露表面的功函数调整层；形成覆盖功函数调整层显露表面且包括层叠的第一阻挡层及第二阻挡层的顶部阻挡层，且形成第一阻挡层后，向工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层；形成覆盖顶部阻挡层显露表面的粘附层；形成填充栅极沟槽的栅极金属层。本发明通过于第一阻挡层之后，向形成第一阻挡层的工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层，提升了顶部阻挡层阻挡栅极金属层扩散的能力，提升了器件的良率，且方法简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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