[发明专利]矫正碳化硅外延片翘曲度的方法在审
| 申请号： | 202211693602.0 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116130341A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 卓俊辉;陈俊豪;李锡光 | 申请（专利权）人： | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈进芳 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开一种矫正碳化硅外延片翘曲度的方法，首先将所述外延片的保护膜一面贴合在减薄机的多孔陶瓷吸附台上，真空吸附所述外延片，利用8000～30000目的金刚石砂轮对所述外延片的碳面进行减薄处理；然后，将减薄后的所述外延片贴附于化学机械抛光设备上，根据减薄后的所述外延片的翘曲度大小，利用0.1～1μm的多晶金刚石粉研磨液，在100g～300g/cm |
||
| 搜索关键词： | 矫正 碳化硅 外延 曲度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东天域半导体股份有限公司，未经广东天域半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211693602.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三轴牵引车滑移率的误差消除方法、装置及电子设备
- 下一篇：散装货物装车平台
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
