[发明专利]一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211691933.0 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116024658A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 马啸尘 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 王兆波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法，用五氧化二钽粉末和氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲激光沉积方法在钇稳定的氧化锆(YSZ)单晶衬底上制备得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄。本发明的钨掺杂六方相五氧化二钽薄膜是具有单晶结构的外延材料，该薄膜材料具有良好的半导体电学性质，并且单晶质量高、稳定性好。可用于透明半导体器件和紫外光电探测器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 六方相五 氧化 二钽单晶 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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